业界领先的存储芯片厂商
业界领先的存储芯片厂商
产品简介：
目前国内最先进2D NAND制程，通过程序优化，提供更好的读写性能和更高可靠性，满足各类高可靠性应用。
广泛应用于各类行业及工业类应用，如：视频监控，基站，运动手表，光猫，路由器，机顶盒等
与NOR闪存相比，工业级SLC NAND在保证同等可靠性性能条件下提供4~8倍存储空间，可以满足客户同等可靠性条件下更大的存储空间，容纳更多更复杂的应用。
先进制程带来的尺寸优势可提供更小的封装尺寸，可以实现SIP级别封装，协助客户进一步降低封装成本
相对PPI接口，通用SPI接口带来更少的引脚消耗，简化的外围电路设计。
产品特性：
●容量：512 Mb/ 1Gb/ 2Gb/ 4Gb
●多种接口模式：SPI
●工作电压：1.8V / 3.3V
●可靠性：数据保持时间10年，编程/擦除周期：100,000次，内嵌ECC
●工作温度范围：-40℃~85℃
●小型化封装：WSON8（6*8）
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Part Number |
Density |
Voltage |
Temps |
P/E Cycle |
Package |
| UM19A9LISW | 512Mb | 1.8V | -40-85 | 100,000 | WSON8 |
| UM19A9HISW | 512Mb | 1.8V | -40-85 | 100,000 | WSON8 |
|
UM19A0LISW |
1Gb |
1.8V |
-40~85 |
100,000 |
WSON8 |
|
UM19A0HISW |
1Gb |
3.3V |
-40~85 |
100,000 |
WSON8 |
|
UM19A1LISW |
2Gb |
1.8V |
-40~85 |
100,000 |
WSON8 |
|
UM19A1HISW |
2Gb |
3.3V |
-40~85 |
100,000 |
WSON8 |
|
UM19A1LISW-D |
4Gb |
1.8V |
-40~85 |
100,000 |
WSON8 |
|
UM19A1HISW-D |
4Gb |
3.3V |
-40~85 |
100,000 |
WSON8 |
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